離子束濺射:用于先進(jìn)應(yīng)用的密集高精度涂層
離子束濺射(IBS)也被稱為離子束沉積或離子束濺射沉積(IBSD),是一種在襯底上產(chǎn)生特別密集、均勻和無缺陷的薄膜的PVD技術(shù)。
一個聚焦的寬離子束用惰性氣體離子,如氦或氮轟擊目標(biāo)物質(zhì)。離子與具有高動能的目標(biāo)表面碰撞,噴出材料中的單個粒子(原子或分子),使它們凝結(jié)在襯底表面形成薄薄的涂層。通過在一個加工室中使用不同的目標(biāo),可以生產(chǎn)出高質(zhì)量的多層層,即所謂的多層涂層。
與磁控濺射或蒸發(fā)等PVD技術(shù)相比,離子束濺射具有若干優(yōu)點(diǎn)。射出的微粒以高能量擊中襯底物。因此,它們具有較高的表面流動性,很容易在已經(jīng)沉積的顆粒之間嵌入,從而形成特別密集和無缺陷的層。低濺射壓力和低工藝溫度使密集的膜生長和優(yōu)良的膜性能。此外,離子束能量是精確可調(diào)的,允許更大程度地控制沉積層的性質(zhì),包括密度,附著力和成分。
離子束濺射的一種特殊形式是 雙離子束濺射 或雙離子束沉積。通過添加輔助離子束源,第二次離子轟擊可以影響襯底上的生長膜或預(yù)清洗襯底。
1、Scia Coat200
200層-最多200毫米的晶圓上的多層沉積
離子束濺射
雙離子束濺射
離子束蝕刻
高品質(zhì)多層沉積
… 200號外套 具有良好的均勻性涂料在200毫米底材。用離子束噴濺沉積代替其它沉積工藝,可以獲得光滑無缺陷的薄膜。現(xiàn)場光學(xué)監(jiān)測確保了良好的過程穩(wěn)定性。此外,該系統(tǒng)能夠處理晶圓片以及任意形狀的基板。
特點(diǎn)和益處
底物旋轉(zhuǎn)和傾斜均勻性優(yōu)異
將最多5個水冷目標(biāo)材料放在旋轉(zhuǎn)保持器上進(jìn)行原地變換
采用石英晶體振蕩器和(或)光學(xué)厚度監(jiān)測器(ODM)和測試玻璃變換器來控制多層沉積
直接晶圓處理或根據(jù)不同的基板尺寸和載波處理進(jìn)行調(diào)整
配有350毫米離子束源作為輔助源,也可用于離子束蝕刻過程
應(yīng)用程序
高反射鏡的發(fā)射率和反射率圖。高反射鏡@630納米四分之一波堆的沉積。反射率為99.9%,透過率為15-20百萬。
高反光層的光學(xué)涂料、帶通和缺口濾波器
用于磁傳感器的多層薄膜(轉(zhuǎn)基因、TMR、渦流電子)
高激光損傷閾值涂料
介質(zhì)和金屬層的沉積
預(yù)處理基板(蝕刻、清洗、平滑)
申請書
電涂料 在大基板上
高反光涂料 和他一起 2 O 5 以及氧化硅 2
原則
主要來源使材料從一個目標(biāo)到垂直或面朝下定向襯底
用于預(yù)先清洗襯底和/或在沉積過程中輔助的次要來源
技術(shù)
離子束濺射 這樣,材料就會從一個具有離子束的目標(biāo)上噴出,并沉積在襯底上。
雙離子束濺射 使用額外的輔助離子束源來影響生長膜.
離子束蝕刻 使用惰性氣體離子的準(zhǔn)直束結(jié)構(gòu)或材料去除。
底板尺寸(最大) | 200毫米口徑。 |
基座 | 水冷、氦背面冷卻接觸,襯底旋轉(zhuǎn)5-20分鐘,可在0-170°每0.1°的位置旋轉(zhuǎn) |
離子束源 | 發(fā)射源:120毫米環(huán)形射頻源(RF120-E) |
中和器 | 絲絲驅(qū)動或射頻驅(qū)動等離子體橋中和器 |
目標(biāo)持有者 | 目標(biāo)桶與傾斜和水冷目標(biāo),最多5(每個最大。220毫米口徑。)或最多4(最多每次。300毫米口徑。) |
堿壓 | < 5 x 10 -7 馬巴 |
系統(tǒng)尺寸(WxDxH) | 3.10Mx1.70米x2.40米,適用于帶磁帶處理的單室(沒有電器架和泵) |
配置 | 單室,帶單襯底負(fù)載鎖定或磁帶處理,集群系統(tǒng),帶磁帶處理 |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型沉積速率:
空氣質(zhì)量:35納米/分鐘
鋁:10納米/分鐘
硅:15納米/分鐘
鈦:8納米/分鐘
鋁合金 2 O 3 15納米/分鐘
高級官員 2 20納米/分鐘
塔 2 O 5 15納米/分鐘
蒂奧 2 6納米/分鐘
均勻性變異 | ≤ 0.5 % (σ/mean) |
2、Scia Coat 500
咨詢電話：13522079385
SIDA涂層500-大面積精密光學(xué)多層涂層
離子束濺射
雙離子束濺射
離子束蝕刻
大面積多層沉積
… 工作服500 用于大基板的均勻涂層,用于精密光學(xué)。配方控制沉積過程允許多層堆棧的可重復(fù)性。因此,一個可改變的塑造系統(tǒng)(最多4個塑造系統(tǒng))可以補(bǔ)償參數(shù)和/或材料依賴的不均勻性影響,并能夠沉積定義的梯度薄膜。
特點(diǎn)和益處
由于直線運(yùn)動的良好均勻性
可將多達(dá)6個水冷目標(biāo)材料放在旋轉(zhuǎn)保持器上進(jìn)行原地變換
采用石英晶體振蕩器和(或)光學(xué)厚度監(jiān)測器(ORT)控制的多層沉積
用于梯度涂層或表面誤差校正的線性軸系統(tǒng)的控制運(yùn)動
可選擇的襯底加熱到250℃,以優(yōu)化膜應(yīng)力
應(yīng)用程序
80層多層堆棧的X射線反射率測量及擬合曲線。第四級布拉格峰可見性表明單層厚度具有很好的重復(fù)性。
光學(xué)濾波器、X射線鏡和同步鏡用多層膜
高反光層和介質(zhì)層的光學(xué)涂料
具有性質(zhì)梯度的薄膜的沉積(Gg-PALB鏡子)
離子束平滑
一元離子束圖
申請書
電涂料 在大基板上
高反光涂料 和他一起 2 O 5 以及氧化硅 2
原則
主要來源使材料從目標(biāo)到面向面的襯底物
用于預(yù)先清洗襯底和/或在沉積過程中輔助的次要來源
技術(shù)
離子束濺射 這樣,材料就會從一個具有離子束的目標(biāo)上噴出,并沉積在襯底上。
雙離子束濺射 使用額外的輔助離子束源來影響生長膜.
離子束蝕刻 使用惰性氣體離子的準(zhǔn)直束結(jié)構(gòu)或材料去除。
底板尺寸(最大) | 500毫米x300毫米,300毫米直徑。輪調(diào) |
基座 | 直線運(yùn)動從0.1毫米/分鐘到15毫米/秒,旋轉(zhuǎn)最多300轉(zhuǎn)(最大。300毫米口徑。) |
離子束源 | 2個380毫米線性微波ECR源(LIN380-E) |
中和器 | 絲絲驅(qū)動等離子橋中和器 |
目標(biāo)持有者 | 目標(biāo)桶,最多6個可傾斜和水冷卻目標(biāo)(每個最大)。400毫米x200毫米) |
堿壓 | < 5 x 10 -8 馬巴 |
系統(tǒng)尺寸(WxDxH) | 3.30米x1.70米x2.00米(無電動機(jī)架和水泵) |
配置 | 單室,可選擇的單基板負(fù)載鎖定基板最多200毫米直徑。 |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
3、Scia Opto 300
高到300毫米的精密光學(xué)涂層.
離子束濺射
雙離子束濺射
光學(xué)涂層的精密度
… 約300 用于精密光學(xué)的均勻涂層。多層彈性沉積的目標(biāo)多達(dá)6個,甚至可以混合目標(biāo)材料。兩個裝載位置允許連續(xù)和完全自動的處理襯底.光學(xué)現(xiàn)場監(jiān)測與集成測試玻璃更換器,確保最高精度和優(yōu)化均勻的涂層。
特點(diǎn)和益處
可變化的襯底尺寸最多300毫米直徑.
自動裝載,有兩個裝載位置,供連續(xù)處理
最多6個可旋轉(zhuǎn)的目標(biāo)材料,每個目標(biāo)最多300毫米x300毫米,具有混合層或?qū)优c層之間平穩(wěn)過渡的最佳幾何結(jié)構(gòu)
最大不超過60RPM的襯底旋轉(zhuǎn)具有優(yōu)異的工藝均勻性
光學(xué)厚度監(jiān)視器和測試玻璃改變器
低應(yīng)力涂層的優(yōu)化幾何
應(yīng)用程序
應(yīng)用實(shí)例:由TA2O5構(gòu)成的多層堆棧的抗反射涂料
在TGG上的SO2,設(shè)計(jì)用于633納米典型激光線的透明度。
圖左邊:層疊結(jié)構(gòu)圖右邊:用橢圓計(jì)的傳輸方式測量的傳輸光譜.可達(dá)到反射率的目標(biāo)值。
光電鏡(例如:角狀過濾器)
高反光層的光學(xué)涂料、帶通和缺口濾波器
高激光損傷閾值涂料
折射率梯度層的沉積
預(yù)處理基板(蝕刻、清洗、平滑)
金屬、種子和保護(hù)涂層
原則
主要來源使材料從目標(biāo)到面朝下定向襯底
用于預(yù)先清洗襯底和/或在沉積過程中輔助的次要來源
技術(shù)
離子束濺射 這樣,材料就會從一個具有離子束的目標(biāo)上噴出,并沉積在襯底上。
雙離子束濺射 使用額外的輔助離子束源來影響生長膜.
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底板尺寸(最大) | 300毫米口徑。 |
基座 | 基座旋轉(zhuǎn)至60rPM,包括光學(xué)厚度監(jiān)視器(Om)和測試玻璃改變器 |
離子束源 | 發(fā)射源:120毫米環(huán)形射頻源(RF120-E) |
中和器 | 高頻驅(qū)動等離子橋中和器 |
目標(biāo)持有者 | 有6個水冷目標(biāo)的目標(biāo)桶(每個目標(biāo)最多300毫米x300毫米) |
堿壓 | < 5 x 10 -8 馬巴 |
系統(tǒng)尺寸(WxDxH) | 對于帶有雙層襯底負(fù)載鎖定的單室(沒有電架和泵),4.60米x1.80米x2.20米 |
配置 | 帶有雙襯底負(fù)載鎖定的單室 |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型沉積速率 | Si: 6 nm/min, SiO 2 :9納米/分鐘,塔 2 O 5 6納米/分鐘 |
均勻性變異 | ≤ 0.8 % (σ/mean) for 300 mm |
